KOLOS 1. 3. Własności i zastosowania tranzystora bipolarnego. 1.4. Własności i zastosowania tranzystora unipolarnego.

 //////////   czesc 1 ////////

Tranzystor jest elementem półprzewodnikowym, w którym obszar przewodzenia elektronowego typu n i obszar przewodzenia dziurawego typu p są usytuowane na przemian. Tranzystor jest elementem o trzech zaciskach, a więc jest trójnikiem. Rozróżnia się tranz. bipolarne: 

a) tranzystor p-n-p – jeden z obszarów typu p jest nazywany emiterem €, a drugi kolektorem (C). Obszary te są rozdzielone obszarem typu n nazywanym bazą (B); 

b) tranzystor n-p-n – emiter i kolektor są oszarami typu n, a baza typu p.  

Zastosowanie tranzystorów – umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu za pomocą prądu znacznie mniejszego. Wykorzystuje się je do wzmocnienia małych sygnałów oraz przetwarzania informacji w postaci cyfrowej. 

  //////////   czesc 2  ////////

Tranz. bipolarny – transport ładunków odbywa się za pośrednictwem obu rodzajów nośników jakie istnieją w półprzewodniku tzn. elektronów i dziur.  (zastosowania, kontroluje za pomoca malego napiecia, wiekszym napieciem)

Możliwe konfiguracje: 

a) wspólny emiter 

b) wspólny kolektor 

 c) wspólna baza 

Tranz. unipolarny (polowy) – jego działanie polega na sterowanym transporcie jednego rodzaju nośników. Sterowanie transportem tych nośników odbywa się za pośrednictwem zmian w polu eleketr. Przyłożonym do elektrody zwnaje bramką. Bramka jest odizolowana od kanału, a więc pomiędzy nią a pozostałymi elektrodami tranz. polowegon znajdującymi się na obu końcach kanału występuje bardzo duża impedancja. Tranz. unipolarne zalicza się do najczęściej stosowanych elementów dyskretnych. Rewlacyjne efekty można uzyskać stosując tran. polowe w połączeniu z obwodami scalonymi, zarówno dla niskich jak i wysokich częstot. Wyróżnia się dwa typy głowne tranz. polowych:  

a) złączowe (JFET); 

b) z izolowaną bramką (typu MOS).  

Tranzystor polowy złączowy –składa się z warstwy półprzewodnika typu n lub p oraz wmierzonej w nią silnie domieszkowanej warstwy półprzew. przeciwnego typu, zatem tworzone jest złącze p-n. Na zewn. Obudowy wyprowadzone są trzy końcówki: dren (P), źródło (S) i bramka (G). Tranz. polaryzuje się tak, żeby nośniki większościowe przepływały od źródła do drenu. Złącza G-S polrazyje się zaporowo. 

Tranzystor polowy MOS posiada 4 elektrody: 

1) źródło (S) – wpływają do niej nośniki ładunku do kanału, prąd źródło to I_s.;  

2) dren (D) – dochodzą do niej nośniki ładunku, prąd drenu I_D, napięcie D-S U_DS; 

3) bramka (G) – elektroda sterująca przepływem ładunków, napięcie G-S to U_GS; 

4) podłoże (B) – pełni rolę sterującą podobnie jak bramka, jest oddzielona od kanału złączem p-n, gdy nie korzysta z f-cji sterującej podłoża, wówczas łączy się ze źródłem.  

Tyrystor – element półprzewodnikowy mający 4 warstwy w układzie p-n-p-n i 3 elektrody. Do warstw skrajnych przyłączona jest anoda (A) i katoda (K), a elektroda przyłaczona do warstwy środek to bramka (G). Tyrystory mają zastosowanie przy np. regulacji oświetlenia czy regulacji mocy silnika.  

JAKIES INNE POJECIA

 Prąd zmienny to każdy prąd, którego natężenie zmienia się w czasie. Ze względu na kształt przebiegu możemy mieć bardzo wiele rodzajów prądu (sinusoidalnie zmienny, piłokształtny, prostokątny). Wykorzystanie prądu zminnego w energetyce jest powszechne ze względu na: a) łatwość wytwarzania; b) łatwość zmiany napięcia (transformator); c) możliwość przesyłania AC na duże odległości z małymi stratami.  

Indukcyjność cewki – zmiana natężenia prądu płynącego przez cewkę powoduje zmianę strumienia magnetycznego, to ząs genreguje siłę elektromagnetyczną (SEM) na zaciskach cewki. Ponieważ SEM cewki generowany jest przez zmianę jej własnego strumienia, stąd zjawisko to nazywamy samoindukcją: E = - L · ΔI / Δt. 

Układ RLC – obwody elektryczne i elektroniczne składające się tylko z 3 podstawowych elementów pasywnych: rezystora (R), cewki (L), kondensatora (C).  

Admitancja (drożność) to odwrotność impedancji, całkowita przewodność elektryczna w obwodach prądu przemiennego. Ozaczenia: y – admitancja; Z – impedancja. 

Konduktacnja (przewodność elektryczna) jest odwrotnością rezystancji , czyli jest miarą podatności elementu na przepływ prądu elektrycznego. Symbol konduktancji to G, a jednostka to simens (S). 

 Susceptancja (podatność) to część urojona admitancji czyli przewodność bierna. Dla wzoru Y = G + iB mamy: a) Re(Y)=G – konduktancja; b) Im(Y)=B - susceptancja